| 型号： | BDV65BG | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANS DARL NPN 100V 10A TO218 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| BDV65BG PDF |  |
| 产品变化通告 | Package Change 09/Mar/2012 |
| 标准包装 | 30 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 10A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 2V @ 20mA，5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 1000 @ 5A，4V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-218-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-93 |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | BDV65BG-ND BDV65BGOS |